Результат поиска по ключевым словам.

КОД 32038

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *55N06 TO220 (STP55NF06) not isol

MOSFET N-CH 60V 50A 110W http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/23942/STMICROELECTRONICS/STP55NF06.html

КОД 16867

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *57N10 TO220 57A 100V IRF3710(Z), HUF75639P3

MOSFET N-CH 100V 57(59)A RDS(on) = 23(18)mOm

КОД 32823

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *59N10 TO220 (IRFB59N10D) not isol

Power MOSFET 100V 59A 0.025 Ohm

КОД 69127

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *59N25 TO-3PN (FDA59N25) not isol

350/30V 59A 392W http://www.agspecinfo.com/pdfs/F/FDA59N25.PDF

КОД 69672

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *60N03 D2PAK/TO263 (JFB60N03, GFB60N03) smd

30/20V 60A 62.5W

КОД 71600

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *60N03 TO220 (STP60NF03L FDP7030BL) not isol

MOSFET N-CH 30V 60A 100W

КОД 69731

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *65N55 DPAK/TO252 (STD65N55F3)

MOSFET-N 55 В, 65 А

КОД 16808

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *70N06 TO220 (RFP70N06, KF70N06) not isol

MOSFET N-CH 60V 70A

КОД 33624

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *75N75 TO220 (STP75NF75) not isol

MOSFET N-CH 75V 80A

КОД 71601

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N03 D2PAK/TO263 (SPB80N03 2N0303 2N03L05) not isol

MOSFET-N 30V 80A 120W Напряжение сток-исток: 30 В / Непрерывный ток стока: 80 А / Сопротивление: 3,1 мОм / Пороговое напряжение включения: 4 В при 250 мкА / Максимальный заряд затвора: 150 нС при 10 В / Максимальная входная ёмкость: 7020 пФ при 25 В. N-канальный / Режим улучшения /Лавинный разряд / dv/dt /Рабочая температура 175 °C Предназначен для работы в мощных полевых транзисторах (MOSFET) https://www.alldatasheet.com/html-pdf/94753/SIEMENS/SPB80N03/247/1/SPB80N03.html

КОД 49934

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N055 TO220 (STP140NF55) not isol

MOSFET N-CH 80A(25°C)/80A(100°C)/320A 55V http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/131212/STMICROELECTRONICS/STP140NF55.html

КОД 90752

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N10 TO220 (IRFB4410) orig

MOSFET N-CH 100V 80A http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/104938/IRF/IRFB4410.html

КОД 49092

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N10 TO220 (IRFB4410Z)

MOSFET N-CH 100V 80A http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/104938/IRF/IRFB4410.html

КОД 52240

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N10 TO220 (STP60NF10) not isol 23mOhm

MOSFET N-CH 100V, 80A, 300W http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116514/STMICROELECTRONICS/STP60NF10.html

КОД 32107

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N10 TO220 (STP80NF10) not isol 15mOhm

MOSFET N-CH 100V 80A 300W 0.012 Ohm http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/24513/STMICROELECTRONICS/STP80NF10.html

КОД 61224

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N12 TO220 (STP80NF12) not isol

MOSFET N-CH 120V 80A

КОД 96190

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N160 TO220 NCE80H160

КОД 11486

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *80N55 D2PAK/TO263 STB80NF55L-06

MOSFET N-CH 55V 80A 210W

КОД 96218

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *82N160 TO220 NCE82H160

Номинальное напряжение: 82 Вольта / Номинальный ток: 140 А.

КОД 73194

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *85N06 TO220 (FQP85N06, SUB85N06) not isol

N-CH 85A 60V

КОД 76070

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N *85N06 TO220F (FQPF85N06) isol

Полевой, 60В, 37.5А, 62Вт.

КОД 71599

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N 06N80 DPAK/TO252 (SPD06N80C3, STD06N80C)

800V 6A 83W

КОД 90103

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N 60V 65A <0.015 *065N06 TO220 STP65NF06

MOSFET-N 60V 65A Транзистор полевой N-канальный 60В 65А 0.015 Ом, 110Вт

КОД 79692

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N 68V 98A (pulse 392A) 190W TO220 (STP80NF70)

MOSFET-N-CH 68V 98(392(A 190W 0R0082 https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/499214/STMICROELECTRONICS/STP80NF70.html

КОД 94509

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N CLAMPED *60N04 TO220 (STP60NS04Z) solenoid, motor drivers

Ток стока макс: 60А / Сопротивление открытого канала: 0.015 Ом / Мощность макс: 140Вт / Входная емкость: 3400пФ / Температурный диапазон: -40...+175°С / Структура: n-канал. https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/24472/STMICROELECTRONICS/STP60NS04Z.html

КОД 73519

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N DPAK/TO252 STD2NK90ZT4

Структура: N-канал / Максимальное напряжение сток-исток Uси: 900В / Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.: 2.1А / Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.: ±30В / Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В / Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.: 70Вт / Крутизна характеристики, S 2.3 / Пороговое напряжение на затворе 3…4.5.

КОД 71649

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N Logic *19N10 DPAK/TO252 (FQD19N10L) not isol

100V 15.6A 20V

КОД 46911

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N logic *30N06L DPAK/TO252

MOSFET N-CH 60V 30A

КОД 50960

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N+Di * TPH1R204PB

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 850µohm / Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 132W / Тип канала N-канальный / Постоянный ток стока Id 240 А / Напряжение источника стока Vds 40 В / Максимальное пороговое напряжение источника затвора 3 В / Количество контактов 8 контактов / Максимальная рабочая температура 175°C / Ассортимент продукции U-MOSIX-Серия H / Усовершенствованный дизайн корпуса транзистора SOP / Поверхностный монтаж транзистора Предназначен для использования в следующих областях: Преобразователи переменного тока в постоянный и преобразователи постоянного тока; Синхронные выпрямители на стороне вторичного напряжения импульсных блоков питания с жёсткими требованиями к уровню электромагнитных помех; Приводы электродвигателей, например в аккумуляторных инструментах.

КОД 50961

ТРАНЗИСТОР MOSFET-N+Di * TPH1R204PL

Режим канала: Расширенный / Конфигурация: Одиночная / Время отключения: 10 нс / Ток постоянного разряда: 150 А / Тип монтажа: SMD/SMTT / Количество каналов: 1 канал Упаковка / Рассеиваемая мощность: 132 Вт / Тип: MOSFET / Заряд Qg - затвора: 74 нМ / Сопротивление Rds на выходе: 2,1 Мом / Время нарастания: 13 нс / Серия: U-MOSIX-H / Подкатегория: МОП-транзисторы / Технология: Si / Полярность транзистора: N-канальный / Типичное время задержки выключения: 58 нс / Типичное время задержки включения: 33 нс / Напряжение пробоя Vds - Сток-исток: 40 В / Напряжение Vgs - Gate-Source: -20 В, +20 В / Пороговое напряжение Vgs -th - Gate-Source: 1,4 В / Максимальный постоянный ток стока - (А) 246 / Максимальное сопротивление источника стока - (Мом) 1.24@10V / Максимальное напряжение источника стока - (В) 40 / Максимальное напряжение источника затвора - (В) 20 / Максимальное пороговое напряжение затвора - (В) 2,4 / Максимальная рассеиваемая мощность - (МВт) 3000. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока. Это адаптеры для ноутбуков, игровых консолей, серверов, настольных ПК, плоских дисплеев. В комплект поставки также входят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данных. Они отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока от источника к источнику. Эти МОП-транзисторы изготовлены с использованием новейших технологий trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.