Транзисторы отечественные

КОД 17235

ТРАНЗИСТОР ГТ311(ж,и)

npn 150mW 12(20)V, 10V 50mA >300MHz (ж), >450 MHz (и), h=50…300

КОД 17236

ТРАНЗИСТОР ГТ313б

pnp 100mW 15V 30mA >450 MHz h=20...250

КОД 30556

ТРАНЗИСТОР ГТ313в

PNP 15V 0.03A 0.1W

КОД 17237

ТРАНЗИСТОР ГТ320(а,б,в)

pnp 200mW 20V 150mA >80MHz h=20…80

КОД 17238

ТРАНЗИСТОР ГТ321(б,д,в)

pnp 160mW 40V 200mA >60MHz h=40…200

КОД 90420

ТРАНЗИСТОР ГТ322а

Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 5 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,05 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30...100 Обратный ток коллектора 4 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 80 МГц Коэффициент шума биполярного транзистора 4 дБ

КОД 17239

ТРАНЗИСТОР ГТ322б

pnp 50mW 25V 10mA >80MHz h=50…120

КОД 17240

ТРАНЗИСТОР ГТ328а (AF109)

pnp 50mW 15V 10mA >400MHz h=20…200

КОД 17241

ТРАНЗИСТОР ГТ328б (AF106)

pnp 50mW 15V 10mA >300MHz h=40…200

КОД 17242

ТРАНЗИСТОР ГТ328в (AF106A)

pnp 50mW 15V 10mA >300MHz h=10…70

КОД 17243

ТРАНЗИСТОР ГТ329(а,б,в)

npn 50mW 10V 20mA >1200MHz(a), >1680(б)

КОД 65507

ТРАНЗИСТОР ГТ335а,в

КОД 17244

ТРАНЗИСТОР ГТ338(а,б,в)

pnp 100mW 20V 1000mA

КОД 17245

ТРАНЗИСТОР ГТ341б

NPN 10V 5mA 35mW

КОД 17246

ТРАНЗИСТОР ГТ341в

npn 35mW 10V 10mA >1500MHz h=15…300

КОД 17247

ТРАНЗИСТОР ГТ346а

pnp 50mW 20V 10mA >700MHz h=10…150

КОД 17248

ТРАНЗИСТОР ГТ346б

pnp 50mW 20V 10mA >550MHz h=10…150

КОД 17250

ТРАНЗИСТОР ГТ402б

pnp 300;600mW 25V 500mA >1MHz h=60…150

КОД 17253

ТРАНЗИСТОР ГТ402д

pnp 0,3W;0,6W 25V 500mA >1MHz h=30…80

КОД 31172

ТРАНЗИСТОР ГТ402е

PNP 25V 0.5A 0.6W

КОД 31173

ТРАНЗИСТОР ГТ402ж

PNP 40V 0.5mA 0.6W

КОД 31174

ТРАНЗИСТОР ГТ402и

PNP 40V 0.5A 0.6W

КОД 17254

ТРАНЗИСТОР ГТ403а

pnp 4W 25V 1250mA >0,008MHz h=20…60

КОД 17255

ТРАНЗИСТОР ГТ403б

pnp 4W 45V 1250mA >0,008MHz h=50..150

КОД 17256

ТРАНЗИСТОР ГТ403в

pnp 5W 60V 1250mA >0,008MHz h=20…60

КОД 17257

ТРАНЗИСТОР ГТ403г

pnp 4W 60V 1250mA >0,006 h=50…150

КОД 17258

ТРАНЗИСТОР ГТ403д

pnp 4W 60V 1250mA >0,006HMHz h=50…150

КОД 17259

ТРАНЗИСТОР ГТ403е

pnp 5W 60V 1250mA >0,008MHz h=30

КОД 17260

ТРАНЗИСТОР ГТ403ж

pnp 40W 80V 1250mA >0,008MHz h=20...60 / Транзисторы ГТ403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. / Основные технические характеристики транзистора ГТ403Ж: Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт; fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц; Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В; Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА; Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 80 В; h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А; Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.

КОД 17261

ТРАНЗИСТОР ГТ403и

pnp 4W 80V 1250mA >0,008MHz h=30